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Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation Mohamed Elsayed

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Titel: Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation | Zusatz: Diffusion of Dopants in III-V Compound Semiconductors: Defect Studies by Positron Annihilation Spectroscopy | Medium: Taschenbuch | Autor: Mohamed Elsayed | Einband: Kartoniert / Broschiert | Inhalt: 168 S. | Ausstattung / Beilage: Paperback | Sprache: Englisch | Seiten: 168 | Maße: 220 x 150 x 11 mm | Erschienen: 13.09.2013 | Anbieter: Buchbär.

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Publikationsname:

Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation
Autor:

Mohamed Elsayed
Produktart:

Mathematik
Erscheinungsjahr:

2013
Sprache:

Englisch
Anzahl der Seiten:

168
Marke:

LAP LAMBERT Academic Publishing
Hersteller:

LAP LAMBERT Academic Publishing
Verlag:

LAP LAMBERT Academic Publishing
Format:

Taschenbuch
Genre:

Mathematik, Naturwissenschaften, Technik, Medizin
Titelzusatz:

Diffusion of Dopants in III-V Compound Semiconductors: Defect Stu
Schlagworte:

Physik, Astronomie, Raum und Zeit
Herstellungsland und -region:

Deutschland
ISBN:

365945219X

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