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Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation Mohamed Elsayed

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Titel: Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation, Untertitel: Diffusion of Dopants in III-V Compound Semiconductors: Defect Studies by Positron Annihilation Spectroscopy, Einband: Taschenbuch, Autor: Mohamed Elsayed, Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, Sprache: Englisch, Seiten: 168, Maße: 220x150x11 mm, Gewicht: 268 g, Verkäufer: buch-mimpf.

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