Transistor: P-MOSFET 1W -30V -4A unipolar SOT23F SSM3J334R,LF(T P-Kanal-Transi
ab 9,52 €
Gehäuse: SOT23F. Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: P-MOSFET. Drain-Source Spannung: -30V. Drainstrom: -4A. Verlustleistung: 1W. Widerst im Leitungszust: 136mΩ.
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Packungsgröße:5 Stk. / Verpackung
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Hersteller:TOSHIBA
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Montage:SMD
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Drainstrom:-4A
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Kanal-Art:stark
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Drain-Source:Spannung:
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Transistor-Typ:P-MOSFET
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Verpackungs-Art:Rolle
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Gehäuse:SOT23F
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Widerst:im
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Gate-Source:Spannung:
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Verlustleistung:1W
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Gate-Ladung:5.9nC
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Polarisierung:unipolar
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Eigenschaften:von
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