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Rupendra Kumar Sharma | Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect...

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Titel: Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs | Medium: Taschenbuch | Autor: Rupendra Kumar Sharma | Einband: Kartoniert / Broschiert | Inhalt: 156 S. | Sprache: Englisch | Seiten: 156 | Maße: 220 x 150 x 10 mm | Erschienen: 30.07.2015 | Anbieter: Faboplay.

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Publikationsname:

Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs
Autor:

Rupendra Kumar Sharma
Produktart:

Mathematik
Erscheinungsjahr:

2015
Sprache:

Englisch
Anzahl der Seiten:

156
Marke:

SPS
Hersteller:

SPS
Verlag:

SPS
Format:

Taschenbuch
Genre:

Mathematik, Naturwissenschaften, Technik, Medizin
Schlagworte:

Technik, Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Ind
Herstellungsland und -region:

Deutschland
ISBN:

3639708024

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