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Mohamed Elsayed | Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron...

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  • Publikationsname:
    Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation
  • Autor:
    Mohamed Elsayed
  • Produktart:
    Mathematik
  • Erscheinungsjahr:
    2013
  • Sprache:
    Englisch
  • Anzahl der Seiten:
    168
  • Marke:
    LAP LAMBERT Academic Publishing
  • Hersteller:
    LAP LAMBERT Academic Publishing
  • Verlag:
    LAP LAMBERT Academic Publishing
  • Format:
    Taschenbuch
  • Genre:
    Mathematik, Naturwissenschaften, Technik, Medizin
  • Titelzusatz:
    Diffusion of Dopants in III-V Compound Semiconductors: Defect Stu
  • Schlagworte:
    Physik, Astronomie, Raum und Zeit
  • Herstellungsland und -region:
    Deutschland
  • ISBN:
    365945219X
  • Standardversand:
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