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Isolierter Gate Bipolartransistor IGBT Theorie und Design von Vinod Kumar Khanna (

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By Vinod Kumar Khanna. Power Device Evolution and the Advert of IGBT. MOS Components of IGBT. Bipolar Components of IGBT. Physics and Modeling of IGBT. Latch-Up of Parasitic Thyristor in IGBT. Design Considerations of IGBT Unit Cell.

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ISBN-13:

9780471238454
Book Title:

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
ISBN:

9780471238454

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