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GaN-Transistormodellierung für HF- und Leistungselektronik: mit dem ASM-HEMT Modell b

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His research group is involved in developing compact models for GaN transistors, FinFET, nanosheet/gate-all-around FETs, FDSOI transistors, negative capacitance FETs and 2D FETs. His research focuses on developing advanced semiconductor device models, particularly next-generation BSIM models for field-effect transistors.

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