Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Mohamed A
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Titel: Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor, Untertitel: Reliability study of Semiconductor devices after accelerated ageing tests, Einband: Taschenbuch, Autor: Mohamed Ali Belaïd, Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, Sprache: Englisch, Seiten: 76, Maße: 220x150x5 mm, Gewicht: 131 g, Verkäufer: buch-mimpf.
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Verlag:LAP LAMBERT Academic Publishing
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Autor:Mohamed Ali Belaïd
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Seiten:76
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Gewicht:131
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Einband:Taschenbuch
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Format:220x150x5 mm
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Sprache:Englisch
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Marke:LAP LAMBERT Academic Publishing
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Fachbereich:Hardcover/Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik/Te...
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Publikationstitel:Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS tr...
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Erscheinungsjahr:20120729
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Produktart:Bücher
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Buchtitel:Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS tr...
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Untertitel:Reliability study of Semiconductor devices after accelerated a...
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Film-/Fernseh-Titel:Keine Angabe
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Publikationsname:Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS tr...
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Musiktitel:Keine Angabe
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Interpret:Keine Angabe
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ISBN:9783659200625
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