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Effect of Underlap On Device Performance of GaN Based DG-MOSFET Md. Rokib Hasan

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Titel: Effect of Underlap On Device Performance of GaN Based DG-MOSFET, Einband: Taschenbuch, Autor: Md. Rokib Hasan, Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, Sprache: Englisch, Seiten: 68, Maße: 220x150x5 mm, Gewicht: 119 g, Verkäufer: buch-mimpf.

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