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Development of High Performance Piezoelectric AlScN for Microelectromechanical S

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Compared to AlN, piezoelectric coefficients that are up to 450% higher were realized in AlScN, with d33f reaching a maximum of 17.2 pm/V and e31f reaching 3.2 C/m². Thus, films free of morphological inhomogeneities with close to ideal piezoelectric properties could be deposited up to 0.43% ScN.

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