Analysis and Simulation of Heterostructure Devices Rüdiger Quay
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Titel: Analysis and Simulation of Heterostructure Devices, Einband: Taschenbuch, Autor: Rüdiger Quay, Verlag: Springer Vienna, Springer Vienna, Sprache: Englisch, Seiten: 324, Maße: 235x155x18 mm, Gewicht: 493 g, Verkäufer: buch-mimpf, Schlagworte: Device Reliability HBTs HEMTs Heterojunction Bipolar Transistors High Electron Mobility Transistors PES Simulation Stem compound semiconductors device optimization semiconductor development.
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